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Conference papers

Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium - Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures

Résumé : Ce papier présente les performances des MOSFETs en carbure de silicium pour des applications haute température. Les caractérisations statiques et dynamiques ont été réalisées avec un packaging adéquat pour des températures variant de 25°C à 250°C. Un banc de test de vieillissement a été conçu pour évaluer la durée de vie des composants en commutation sur une charge résistive avec T>250°C.
Document type :
Conference papers
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065420
Contributor : Ccsd Sciencesconf.Org <>
Submitted on : Thursday, September 18, 2014 - 10:09:01 AM
Last modification on : Monday, September 13, 2021 - 2:44:04 PM
Long-term archiving on: : Friday, December 19, 2014 - 12:21:13 PM

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  • HAL Id : hal-01065420, version 1

Citation

Rémy Ouaida, Pierre Brosselard, Pascal Bevilacqua. Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium - Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065420⟩

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