Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBIC

Hassan Hamad (1) , Pascal Bevilacqua (1) , Dominique Planson (1) , Christophe Raynaud (1) , Dominique Tournier (1) , Bertrand Vergne (2) , Mihai Lazar (1) , Pierre Brosselard (1)

1 EE - Ampère, Département Energie Electrique
2 ISL - Institut Franco-Allemand de recherches de Saint-Louis

L'usage des semi-conducteurs à large bande interdite est en train de se répandre, notamment pour la réalisation de composants à haute tension. Cependant, certains composants montrent des claquages pour des tensions inférieures aux tensions théoriques prévues. Ces claquages prématurés sont en général liés à l'imperfection des protections périphériques des jonctions, dont le rôle est de réduire les pics de champ en bordure du composant. Il est donc important "d'observer" le champ électrique en périphérie du composant afin de détecter les faiblesses de protection. Ce papier présente une imagerie 2D du champ électrique par la technique OBIC (Optical Beam Induced Current). Des cartographies 2D ont été réalisées sur des diodes protégées par une JTE (Junction Termination Extension) montrant une image du champ électrique aux périphéries et aux courbures des diodes. D'autres mesures ont été faites sur des diodes ZENER avec protection MESA munies d'une fenêtre optique.

Mots clés: SiC-4H; Champ électrique; OBIC; Absorption photonique; Caractérisation des composants

Domaines: Energie électrique

Hassan Hamad, Pascal Bevilacqua, Dominique Planson, Christophe Raynaud, Dominique Tournier, et al.. Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBIC. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065307⟩