Optimisation de la terminaison d'une diode Schottky diamant haute tension

Houssam Arbess (1) , Karine Isoird (1) , Dominique Planson (2) , Luong Viet Phung (2)

1 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
2 EE - Ampère, Département Energie Electrique

Une nouvelle architecture de terminaison est proposée pour les diodes Schottky diamant. En utilisant des simulations par éléments finis avec les outils Sentaurus TCAD (Technology Computer-Aided Design), nous avons étudié l'impact de simples modifications de l'architecture des plaques de champ sur la tension de claquage. La tenue en tension augmente, mais ces modifications ne permettent pas de réduire la valeur du champ électrique au bord de la plaque de champ dans le diélectrique. Plusieurs topologies avec des formes originales ont été proposées pour résoudre ce problème. Les simulations paramétriques ont été utilisées pour optimiser les paramètres technologiques de ces structures de terminaison en vue de réduire la valeur crête du champ électrique en bord de terminaison, tout en maintenant la tension de claquage élevée. La solution retenue a permis de réduire le champ électrique maximal de 57 à 13 MV/cm.

Domaines: Energie électrique

Houssam Arbess, Karine Isoird, Dominique Planson, Luong Viet Phung. Optimisation de la terminaison d'une diode Schottky diamant haute tension. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065274⟩