Skip to Main content Skip to Navigation
Conference papers

Évaluation d'une technologie SOI pour l'utilisation de circuits intégrés à des températures extrêmes

Résumé :

La technologie " Silicon On Insulator " (SOI) est de plus en plus employée pour la fabrication d'électronique intégrée haute température. En effet, avec des températures ambiantes de fonctionnement supérieures à 230 °C, elle est particulièrement indiquée pour la réalisation de circuit intégré pour commander des interrupteurs de puissance Grand-Gap en environnements extrêmes. Le but de cette étude est de définir les limites de cette technologie à haute température. Pour y parvenir, des transistors MOSFET et des structures de test ont été caractérisées de -75 à +250 °C en statique. Les différents MOSFET utilisés sont fonctionnels sur cette plage de température et aucune dégradation n'a été observée après ces premiers tests. Des structures d'électromigration en AlCu(0. 5 wt %) ont été testées à 250 °C pour trouver la limite de la densité de courant admissible dans les interconnexions métalliques à haute température. Une durée de vie plus faible qu'envisagée par le modèle théorique a été trouvée sur toutes les structures testées.

Document type :
Conference papers
Complete list of metadata

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065189
Contributor : Ccsd Sciencesconf.Org <>
Submitted on : Thursday, September 18, 2014 - 9:49:34 AM
Last modification on : Monday, September 13, 2021 - 2:44:04 PM
Long-term archiving on: : Friday, December 19, 2014 - 11:10:32 AM

Identifiers

  • HAL Id : hal-01065189, version 1

Citation

Cyril Calvez. Évaluation d'une technologie SOI pour l'utilisation de circuits intégrés à des températures extrêmes. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065189⟩

Share

Metrics

Record views

101

Files downloads

521