"Geometrical Impact on RF performances of Broadband ESD Self Protected Transmission Line in Advanced CMOS Technologies" Fallen Leaf Lake, USA.

Type de document :
Communication dans un congrès
IIRW 2012, Oct 2012, Fallen Leaf Lake, United States. 2012
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Contributeur : Isabelle Michelin <>
Soumis le : mardi 9 septembre 2014 - 15:25:52
Dernière modification le : lundi 29 mai 2017 - 14:27:15

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  • HAL Id : hal-01062280, version 1

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T. Lim, J. Jimenez, P. Benech, J.-M. Fournier, B. Heitz, et al.. "Geometrical Impact on RF performances of Broadband ESD Self Protected Transmission Line in Advanced CMOS Technologies" Fallen Leaf Lake, USA.. IIRW 2012, Oct 2012, Fallen Leaf Lake, United States. 2012. 〈hal-01062280〉

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