Electrical transport in thin film transistors with In-Zn-O channels doped with post-transition metals - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Electrical transport in thin film transistors with In-Zn-O channels doped with post-transition metals

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-01055034

Soumis le : lundi 11 août 2014-10:20:54

Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:30:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01055034 , version 1 (11-08-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01055034 , version 1

Citer

Mohammed Benwadih, Jan Chroboczek, Gérard Ghibaudo, Romain Coppard, Dominique Vuillaume. Electrical transport in thin film transistors with In-Zn-O channels doped with post-transition metals. Journées Nationales du GdR OXYFUN " Oxydes fonctionnels : du matériau au dispositif ", Jun 2014, Autrans, France. ⟨hal-01055034⟩

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