On the Optimization of Ebeam Lithography Using Hydrogen Silsesquioxane (HSQ) for Innovative Self-Aligned CMOS Process

R. Coquand (1) , S. Monfray (2) , J. Pradelles (3) , L. Martin , M.-P. Samson , J. Bustos (2) , S. Barraud (4) , F. Boeuf , T. Skotnicki (2) , G. Ghibaudo (1) , T. Poiroux (3) , O. Faynot (3)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 LGCIE - Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

R. Coquand, S. Monfray, J. Pradelles, L. Martin, M.-P. Samson, et al.. On the Optimization of Ebeam Lithography Using Hydrogen Silsesquioxane (HSQ) for Innovative Self-Aligned CMOS Process. 223rd ECS Meeting, May 2013, Toronto, Canada. ⟨hal-01020074⟩