Nucleation of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: The effect of temperature

Rafael Mata (1) , Karine Hestroffer (2) , J. Budagosky , A. Cros (3) , Catherine Bougerol (4) , Hubert Renevier (5) , B. Daudin (6)

1 Materials Science Institute
2 Service de Physique des Matériaux et des Microstructures
3 GEOPS - Géosciences Paris Sud
4 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
5 LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique
6 SP2M - UMR 9002 - Service de Physique des Matériaux et Microstructures

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Rafael Mata, Karine Hestroffer, J. Budagosky, A. Cros, Catherine Bougerol, et al.. Nucleation of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: The effect of temperature. Journal of Crystal Growth, 2011, 334 (1), pp.177-180. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2011.08.015⟩. ⟨hal-01005934⟩