Graphene Solution-Gated Field-Effect Transistor Array for Sensing Applications

M. Dankerl; M.V. Hauf; A. Lippert; L.H. Hess; S. Birner; I.D. Sharp; Ather Mahmood; Pierre Mallet; Jean-Yves Veuillen; M. Stutzmann; J.A. Garrido

doi:10.1002/adfm.201000724

Article Dans Une Revue Advanced Functional Materials Année : 2010

Graphene Solution-Gated Field-Effect Transistor Array for Sensing Applications

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M. Dankerl

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M.V. Hauf

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A. Lippert

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L.H. Hess

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S. Birner

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Ather Mahmood

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PersonId : 20134
IdHAL : ather-mahmood
IdRef : 143818414

Pierre Mallet

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PersonId : 749060
IdHAL : pierre-mallet

Nano-Electronique Quantique et Spectroscopie

Jean-Yves Veuillen

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IdHAL : jean-yves-veuillen
ORCID : 0000-0001-5498-4322

Nano-Electronique Quantique et Spectroscopie

M. Stutzmann

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J.A. Garrido

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Soumis le : vendredi 6 juin 2014-08:42:45

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:39:47

Dates et versions

hal-01002351 , version 1 (06-06-2014)

Identifiants

HAL Id : hal-01002351 , version 1
DOI : 10.1002/adfm.201000724

Citer

M. Dankerl, M.V. Hauf, A. Lippert, L.H. Hess, S. Birner, et al.. Graphene Solution-Gated Field-Effect Transistor Array for Sensing Applications. Advanced Functional Materials, 2010, 20 (18), pp.3117-3124. ⟨10.1002/adfm.201000724⟩. ⟨hal-01002351⟩

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