Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01002110
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-15:43:18
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:39:47
Citer
D.Y. Jeon, S.J. Park, M. Mouis, S. Barraud, G.T. Kim, et al.. New method for the extraction of bulk channel mobility and flat-band voltage in junctionless transistors. Solid-State Electronics, 2013, 89, pp.139-141. ⟨10.1016/j.sse.2013.08.003⟩. ⟨hal-01002110⟩
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