Effect of Ga incorporation in the As30Se50Te20 glass

Yaroslav Shpotyuk; Bruno Bureau; Catherine Boussard-Plédel; Virginie Nazabal; R. Golovchak; P. Demchenko; I. Polovynko

doi:10.1016/j.jnoncrysol.2014.04.021

Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 2014

Effect of Ga incorporation in the As30Se50Te20 glass

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1

Yaroslav Shpotyuk

Fonction : Auteur

Institut des Sciences Chimiques de Rennes

Bruno Bureau

Fonction : Auteur
PersonId : 944692
IdHAL : bruno-bureau

Institut des Sciences Chimiques de Rennes

Catherine Boussard-Plédel

Fonction : Auteur
PersonId : 10241
IdHAL : catherine-boussard-pledel
ORCID : 0000-0001-6303-648X
IdRef : 165597933

Institut des Sciences Chimiques de Rennes

Virginie Nazabal

Fonction : Auteur
PersonId : 177367
IdHAL : virginie-nazabal
ORCID : 0000-0002-0113-3935
IdRef : 119128063

Institut des Sciences Chimiques de Rennes

CV

R. Golovchak

Fonction : Auteur

P. Demchenko

Fonction : Auteur

I. Polovynko

Fonction : Auteur

Domaines

Matériaux

Corinne Perier : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00998418

Soumis le : lundi 2 juin 2014-09:43:11

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Dates et versions

hal-00998418 , version 1 (02-06-2014)

Identifiants

HAL Id : hal-00998418 , version 1
DOI : 10.1016/j.jnoncrysol.2014.04.021

Citer

Yaroslav Shpotyuk, Bruno Bureau, Catherine Boussard-Plédel, Virginie Nazabal, R. Golovchak, et al.. Effect of Ga incorporation in the As30Se50Te20 glass. Journal of Non-Crystalline Solids, 2014, 398-399, pp.19-25. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2014.04.021⟩. ⟨hal-00998418⟩

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