Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00994314
Soumis le : mercredi 21 mai 2014-12:09:18
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:05:09
Citer
K.-S. Im, Y.-W. Jo, J.-H. Lee, S. Cristoloveanu. Heterojunction-free GaN nanochannel FinFETs with high performance. IEEE Electron Device Letters, 2013, 34 (3), pp.381-383. ⟨10.1109/LED.2013.2240372⟩. ⟨hal-00994314⟩
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