Comparison of atomic layer deposited HfO2, ZrO2 and Al2O3 on O-terminated boron doped diamond - Archive ouverte HAL

Documentation
Français (FR)

Anglais (EN)

Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Comparison of atomic layer deposited HfO2, ZrO2 and Al2O3 on O-terminated boron doped diamond

(1) , (1) , (2) , (1) , (1)

1
2

Aurélien Maréchal

Fonction : Auteur

Semi-conducteurs à large bande interdite

Gauthier Chicot

Fonction : Auteur

Semi-conducteurs à large bande interdite

Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger

Fonction : Auteur
PersonId : 736352
IdHAL : nicolas-rouger
ORCID : 0000-0002-2161-9043
IdRef : 190456760

Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble

Julien Pernot

Fonction : Auteur
PersonId : 736749
IdHAL : julien-pernot
ORCID : 0000-0002-6967-237X
IdRef : 069193029

Semi-conducteurs à large bande interdite

Etienne Gheeraert

Fonction : Auteur
PersonId : 3851
IdHAL : etienne-gheeraert
ORCID : 0000-0002-9952-5805
IdRef : 075094541

Semi-conducteurs à large bande interdite

Domaines

Energie électrique

Sylvie Garcia : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00989688

Soumis le : lundi 12 mai 2014-11:42:29

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:14:27

Dates et versions

hal-00989688 , version 1 (12-05-2014)

Identifiants

HAL Id : hal-00989688 , version 1

Citer

Aurélien Maréchal, Gauthier Chicot, Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger, Julien Pernot, Etienne Gheeraert. Comparison of atomic layer deposited HfO2, ZrO2 and Al2O3 on O-terminated boron doped diamond. SBDD 2014, Feb 2014, Hasselt, Belgium. ⟨hal-00989688⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UGA CNRS NEEL G2ELAB POLYTECH-GRENOBLE

80 Consultations

0 Téléchargements

Partager