Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2014
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https://hal.science/hal-00968787
Soumis le : mardi 1 avril 2014-15:22:27
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:30:01
Citer
R. Blanc, C. Jenny, S. Lagrasta, F. Leverd, O. Joubert. Patterning of silicon nitride for CMOS gate spacer technology. II. Impact of subsilicon surface carbon implantation on epitaxial regrowth. Journal of Vacuum Science and Technology, 2014, B 32, pp.021806. ⟨10.1116/1.4865896⟩. ⟨hal-00968787⟩
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