State Creation under gate bias stress in polysilicon TFT's Studid from the temperature - Transfer charasterictic behavior - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

State Creation under gate bias stress in polysilicon TFT's Studid from the temperature - Transfer charasterictic behavior

H. Toutah
  • Fonction : Auteur
Jean-François Llibre
B. Tala-Ighil
  • Fonction : Auteur
N. Bouda
  • Fonction : Auteur
Tayeb Mohammed-Brahim
  • Fonction : Auteur
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique

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https://hal.science/hal-00958859

Soumis le : jeudi 13 mars 2014-14:54:29

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00958859 , version 1 (13-03-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00958859 , version 1

Citer

H. Toutah, Jean-François Llibre, B. Tala-Ighil, N. Bouda, Tayeb Mohammed-Brahim. State Creation under gate bias stress in polysilicon TFT's Studid from the temperature - Transfer charasterictic behavior. E-MRS 2002, Jun 2002, Strasbourg, France. ⟨hal-00958859⟩

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