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Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Chemically improved high performance solution processed indium gallium zinc oxide thin-film transistors

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-00957807

Soumis le : mardi 11 mars 2014-10:37:35

Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:30:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00957807 , version 1 (11-03-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00957807 , version 1

Citer

Mohammed Benwadih, Dominique Vuillaume, Romain Coppard. Chemically improved high performance solution processed indium gallium zinc oxide thin-film transistors. 10th International Thin-Film Transistor Conference, ITC 2014, Jan 2014, Delft, Netherlands. ⟨hal-00957807⟩

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