Highly oriented (00.2) aluminum nitride close to single crystal using (111) titanium nitride buffer layer for microwave high power electro-acoustic devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Highly oriented (00.2) aluminum nitride close to single crystal using (111) titanium nitride buffer layer for microwave high power electro-acoustic devices

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https://hal.science/hal-00944055

Soumis le : lundi 10 février 2014-11:18:08

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00944055 , version 1 (10-02-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00944055 , version 1

Citer

A. Soltani, Abdelkrim Talbi, V. Mortet, A. Bassam, J.C. Gerbedoen, et al.. Highly oriented (00.2) aluminum nitride close to single crystal using (111) titanium nitride buffer layer for microwave high power electro-acoustic devices. IEEE International Ultrasonics Symposium, IUS 2013, 2013, Prague, Czech Republic. ⟨hal-00944055⟩

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