Si3N4 spacers etching in synchronized pulsed CH3F/O2/He/SiF4 plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00925775 , version 1 (08-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00925775 , version 1

Citer

R. Blanc, Maxime Darnon, G. Cunge, E. Latu-Romain, F. Leverd, et al.. Si3N4 spacers etching in synchronized pulsed CH3F/O2/He/SiF4 plasmas. AVS 60h international symposium, Oct 2013, Long Beach, United States. ⟨hal-00925775⟩
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