Plasma enhanced chemical vapour deposition of SiOxNy in an integrated distributed electron cyclotron resonance reactor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 1999

Plasma enhanced chemical vapour deposition of SiOxNy in an integrated distributed electron cyclotron resonance reactor

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Pavel Bulkin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00915361

Soumis le : samedi 7 décembre 2013-15:57:18

Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-14:58:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00915361 , version 1 (07-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00915361 , version 1

Citer

A. Hofrichter, Pavel Bulkin, Bernard Drévillon. Plasma enhanced chemical vapour deposition of SiOxNy in an integrated distributed electron cyclotron resonance reactor. Applied Surface Science, 1999, pp.447-450. ⟨hal-00915361⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

X CNRS X-PICM X-DEP-PHYS LPICM
111 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More