Effect of ion energy on structural and electrical properties of intrinsic microcrystalline silicon layer deposited in a matrix distributed electron cyclotron resonance plasma reactor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2010

Effect of ion energy on structural and electrical properties of intrinsic microcrystalline silicon layer deposited in a matrix distributed electron cyclotron resonance plasma reactor

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Pavel Bulkin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00913538

Soumis le : mardi 3 décembre 2013-22:06:25

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:57

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00913538 , version 1 (03-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00913538 , version 1

Citer

S. K. Ram, Laurent Kroely, Pavel Bulkin, P. Roca I Cabarrocas. Effect of ion energy on structural and electrical properties of intrinsic microcrystalline silicon layer deposited in a matrix distributed electron cyclotron resonance plasma reactor. physica status solidi (a), 2010, pp.591-594. ⟨hal-00913538⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

X CNRS X-PICM X-DEP-PHYS LPICM
90 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More