A Robust Surface-Potential-Based Compact Model for GaN HEMT IC Design - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013

A Robust Surface-Potential-Based Compact Model for GaN HEMT IC Design

Sourabh Khandelwal
  • Fonction : Auteur
Chandan Yadav
  • Fonction : Auteur
Shantanu Agnihotri
  • Fonction : Auteur
Yogesh Singh Chauhan
  • Fonction : Auteur
Arnaud Curutchet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 853090
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Thomas Zimmer
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860621
NANOELECTRONIQUE/MODEL
Jean-Claude de Jaeger
N. Defrance
T.A. Fjeldly
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Valérie Abel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00909066

Soumis le : lundi 25 novembre 2013-17:02:27

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00909066 , version 1 (25-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00909066 , version 1

Citer

Sourabh Khandelwal, Chandan Yadav, Shantanu Agnihotri, Yogesh Singh Chauhan, Arnaud Curutchet, et al.. A Robust Surface-Potential-Based Compact Model for GaN HEMT IC Design. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (10), pp.3216-3222. ⟨hal-00909066⟩

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