Robustness of the Base Resistance Extraction Method for SiGe HBT Devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Robustness of the Base Resistance Extraction Method for SiGe HBT Devices

F. Stein
  • Fonction : Auteur
Didier Celi
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
Cristell Maneux
NANOELECTRONIQUE/MODEL
N. Derrier
  • Fonction : Auteur
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Valérie Abel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00905789

Soumis le : lundi 18 novembre 2013-16:39:31

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00905789 , version 1 (18-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00905789 , version 1

Citer

F. Stein, Didier Celi, Cristell Maneux, N. Derrier, P. Chevalier. Robustness of the Base Resistance Extraction Method for SiGe HBT Devices. ISCDG 2013, Sep 2013, Dresden, Germany. ⟨hal-00905789⟩

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