Electrical and structural properties of SiO2 thin films deposited from O2/HMDSO inductively coupled plasmas under conditions wave and pulsed modes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Electrical and structural properties of SiO2 thin films deposited from O2/HMDSO inductively coupled plasmas under conditions wave and pulsed modes

A. Bousquet
CV
Antoine Goullet
Institut des Matériaux Jean Rouxel
C. Leteinturier
  • Fonction : Auteur
Institut des Matériaux Jean Rouxel
Nathalie . Coulon
  • Fonction : Auteur
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique
Agnès A. Granier
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00905357

Soumis le : lundi 18 novembre 2013-10:39:13

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00905357 , version 1 (18-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00905357 , version 1

Citer

A. Bousquet, Antoine Goullet, C. Leteinturier, Nathalie . Coulon, Agnès A. Granier. Electrical and structural properties of SiO2 thin films deposited from O2/HMDSO inductively coupled plasmas under conditions wave and pulsed modes. E-MRS 2005 Spring Meeting, May 2005, Strasbourg, France. ⟨hal-00905357⟩

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