Characterization of InxGa1-xN/GaN heterostructures for x~0.30 and x~0.55 by XRD and TEM methods - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Characterization of InxGa1-xN/GaN heterostructures for x~0.30 and x~0.55 by XRD and TEM methods

I. Dogmus
  • Fonction : Auteur
A. Addad
  • Fonction : Auteur
C. Lethien
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
P. Roussel
CV
El Hadj Dogheche
N. Rolland
F Medjdoub

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https://hal.science/hal-00878378

Soumis le : mercredi 30 octobre 2013-09:04:08

Dernière modification le : vendredi 2 février 2024-09:41:39

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00878378 , version 1 (30-10-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00878378 , version 1

Citer

I. Dogmus, A. Addad, C. Lethien, P. Roussel, El Hadj Dogheche, et al.. Characterization of InxGa1-xN/GaN heterostructures for x~0.30 and x~0.55 by XRD and TEM methods. 3èmes Journées Nationales sur la Récupération et le Stockage d'Energie pour l'Alimentation des Microsystèmes Autonomes, JNRSE 2013, 2013, Toulouse, France. 2 p. ⟨hal-00878378⟩

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