Optimization of Al0.29Ga0.71N/GaN high electron mobility heterostructures for high-power/frequency performances - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013

Optimization of Al0.29Ga0.71N/GaN high electron mobility heterostructures for high-power/frequency performances

S. Rennesson
  • Fonction : Auteur
F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
M. Chmielowska
  • Fonction : Auteur
Sébastien Chenot
  • Fonction : Auteur
Marie Lesecq
Virginie Hoel
Etienne Okada
Y. Cordier
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00872025

Soumis le : vendredi 11 octobre 2013-10:46:18

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00872025 , version 1 (11-10-2013)

Identifiants

Citer

S. Rennesson, F. Lecourt, N. Defrance, M. Chmielowska, Sébastien Chenot, et al.. Optimization of Al0.29Ga0.71N/GaN high electron mobility heterostructures for high-power/frequency performances. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.3105-3111. ⟨10.1109/TED.2013.2272334⟩. ⟨hal-00872025⟩

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