Study of low temperature MOCVD deposition of TiN barrier layer for copper diffusion in high aspect ratio through silicon vias - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Study of low temperature MOCVD deposition of TiN barrier layer for copper diffusion in high aspect ratio through silicon vias

L. Djomeni
  • Fonction : Auteur
T. Mourier
  • Fonction : Auteur
S. Minoret
  • Fonction : Auteur
S. Fadloun
  • Fonction : Auteur
S. Maitrejean
  • Fonction : Auteur
S. Burgess
  • Fonction : Auteur
A. Price
  • Fonction : Auteur
D. Mathiot
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes

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https://hal.science/hal-00835551

Soumis le : mercredi 19 juin 2013-09:19:30

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:57

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00835551 , version 1 (19-06-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00835551 , version 1

Citer

L. Djomeni, T. Mourier, S. Minoret, S. Fadloun, S. Maitrejean, et al.. Study of low temperature MOCVD deposition of TiN barrier layer for copper diffusion in high aspect ratio through silicon vias. Materials for Advanced Metallization (MAM 2013), Mar 2013, Leuven, Belgium. ⟨hal-00835551⟩

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