Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ECS Journal of Solid State Science and Technology Année : 2013

Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4

Liping Zhang
  • Fonction : Auteur
Rami Ljazouli
  • Fonction : Auteur
Yuri Mankelevich
  • Fonction : Auteur
Jean-Francois de Marneffe
  • Fonction : Auteur
Stefan de Gendt
Mikhail Baklanov
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00831339 , version 1 (06-06-2013)

Identifiants

Citer

Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, et al.. Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2013, 2 (6), pp.N131. ⟨10.1149/2.001306jss⟩. ⟨hal-00831339⟩
62 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More