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Conference papers
A vertical power device conductive assembly at wafer level using direct bonding technology
L. Benaissa
1
Nicolas Rouger
2
Julie Widiez
1
Jean-Christophe Crébier
2
J. Dafonseca
D. Lafond
1
Victor Gaude
2
L. Benaissa 1
Author
Nicolas Rouger 2
Author IdHAL : nicolas-rouger ORCID : https://orcid.org/0000-0002-2161-9043
Julie Widiez 1
Author
Jean-Christophe Crébier 2
Author IdHAL : jean-christophe-crebier
1
CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (MINATEC 17, rue des Martyrs, 38054, Grenoble Cedex 9 - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRT (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
2
G2ELab - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (Bâtiment GreEn-ER, 21 avenue des martyrs, CS 90624, 38031 Grenoble CEDEX 1 - France)
- UJF - Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (BP 53 - 38041 Grenoble Cedex 9 - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5269 (France)
- Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (France)
- Grenoble INP - Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (46 avenue Félix Viallet 38031 Grenoble Cedex 1 - France)
Document type :
Conference papers
Domain :
Complete list of metadatas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00820244
Contributor : Sylvie Garcia <>
Submitted on : Friday, May 3, 2013 - 2:50:50 PM
Last modification on : Wednesday, December 2, 2020 - 7:00:04 AM
Contributor : Sylvie Garcia <>
Submitted on : Friday, May 3, 2013 - 2:50:50 PM
Last modification on : Wednesday, December 2, 2020 - 7:00:04 AM
Identifiers
- HAL Id : hal-00820244, version 1
Citation
L. Benaissa, Nicolas Rouger, Julie Widiez, Jean-Christophe Crébier, J. Dafonseca, et al.. A vertical power device conductive assembly at wafer level using direct bonding technology. In Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Jun 2012, France. pp.77-80. ⟨hal-00820244⟩
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