Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00811736
Soumis le : jeudi 11 avril 2013-09:31:04
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00811736 , version 1
Citer
M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref. Correlation between the kink effect, collapse effect and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate. International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS 2008, 2008, Poitiers, France. ⟨hal-00811736⟩
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