Investigation of the mechanism for TiN Schottky formation in AlGaN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Investigation of the mechanism for TiN Schottky formation in AlGaN/GaN HEMTs

J.C. Gerbedoen
A. Soltani
H. Lahreche
  • Fonction : Auteur
M. Mattalah
  • Fonction : Auteur
Michel Rousseau
D. Theron
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00811733

Soumis le : jeudi 11 avril 2013-09:23:44

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00811733 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00811733 , version 1

Citer

J.C. Gerbedoen, A. Soltani, H. Lahreche, M. Mattalah, Michel Rousseau, et al.. Investigation of the mechanism for TiN Schottky formation in AlGaN/GaN HEMTs. 17th European Heterostructure Technology Workshop, HeTech'08, 2008, Venice, Italy. ⟨hal-00811733⟩

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