Modeling of silicon nanowire growth : shaping, doping, and self-arrangement - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Modeling of silicon nanowire growth : shaping, doping, and self-arrangement

A. Klimovskaya
  • Fonction : Auteur
A. Efremov
  • Fonction : Auteur
D. Hourlier
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00810513

Soumis le : mercredi 10 avril 2013-10:02:10

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00810513 , version 1 (10-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00810513 , version 1

Citer

A. Klimovskaya, A. Efremov, D. Hourlier. Modeling of silicon nanowire growth : shaping, doping, and self-arrangement. IVth Ukrainian Scientific Conference on Physics of Semiconductors, USCPS-4, 2009, Zaporizhzhya, Ukraine. ⟨hal-00810513⟩

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