Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00807603
Soumis le : jeudi 4 avril 2013-09:06:38
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00807603 , version 1
Citer
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, B. Grimbert, et al.. Accurate multibias equivalent-circuit extraction for AlGaN/GaN/Si HEMTs passivated SiO2/Si3N4. European Materials Research Society Fall Meeting, E-MRS Fall 2011, Symposium H : Novel materials for electronics, optoelectronics, photovoltaics and energy saving applications, 2011, Warsaw, Poland. ⟨hal-00807603⟩
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