Ab initio calculation of the binding energy of impurities in semiconductors : application to silicon nanowires - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Ab initio calculation of the binding energy of impurities in semiconductors : application to silicon nanowires

Y.M. Niquet
  • Fonction : Auteur
L. Genovese
  • Fonction : Auteur
C. Delerue
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
T. Deutsch
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00807580

Soumis le : jeudi 4 avril 2013-08:29:37

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807580 , version 1 (04-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807580 , version 1

Citer

Y.M. Niquet, L. Genovese, C. Delerue, T. Deutsch. Ab initio calculation of the binding energy of impurities in semiconductors : application to silicon nanowires. Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2011, Symposium YY : Computational semiconductor materials science, 2011, San Francisco, CA, United States. ⟨hal-00807580⟩

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