Electrical transport measurements and topography of III-V semiconductor nanowires by four probe and low temperature scanning tunneling microscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Electrical transport measurements and topography of III-V semiconductor nanowires by four probe and low temperature scanning tunneling microscopy

Corentin Durand
CV
Maxime Berthe
Y. Makoudi
  • Fonction : Auteur
T.H. Nguyen
  • Fonction : Auteur
P. Caroff
  • Fonction : Auteur
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
B. Grandidier
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV

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https://hal.science/hal-00807242

Soumis le : mercredi 3 avril 2013-11:03:19

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807242 , version 1 (03-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807242 , version 1

Citer

Corentin Durand, Maxime Berthe, Y. Makoudi, T.H. Nguyen, P. Caroff, et al.. Electrical transport measurements and topography of III-V semiconductor nanowires by four probe and low temperature scanning tunneling microscopy. 4th Plenary Workshop of GdR Nanofils Semiconducteurs, 2011, Porquerolles, France. ⟨hal-00807242⟩

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