Anomaly and defects characterization by IDS(VDS) and drain-current DLTS of Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC HEMT's - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Anomaly and defects characterization by IDS(VDS) and drain-current DLTS of Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC HEMT's

S. Saadaoui
  • Fonction : Auteur
M.M. Ben Salem
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00801156

Soumis le : vendredi 15 mars 2013-11:19:22

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00801156 , version 1 (15-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00801156 , version 1

Citer

S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, Christophe Gaquière, H. Maaref. Anomaly and defects characterization by IDS(VDS) and drain-current DLTS of Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC HEMT's. 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2. ⟨hal-00801156⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
58 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More