Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00801079
Soumis le : vendredi 15 mars 2013-09:30:40
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
G. Moschetti, P. Nilsson, A. Hallen, L. Desplanque, X. Wallart, et al.. Source-drain scaling of ion-implanted InAs/AlSb HEMTs. 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012, 2012, Santa Barbara, CA, United States. pp.57-60, ⟨10.1109/ICIPRM.2012.6403318⟩. ⟨hal-00801079⟩
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