Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00800062
Soumis le : mercredi 13 mars 2013-10:30:09
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00800062 , version 1
Citer
A. Gauthier-Brun, J.H. Teng, W. Liu, M. Tonouchi, El Hadj Dogheche, et al.. Properties of GaN and InN films in terahertz range. 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00800062⟩
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