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Communication Dans Un Congrès Année : 2012

High electron mobility InAs-based heterostructure on exact (001) Si using GaSb/GaP accommodation layer

L. Desplanque
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
S. El Kazzi
  • Fonction : Auteur
Christophe Coinon
S. Ziegler
  • Fonction : Auteur
B. Kunert
  • Fonction : Auteur
A. Beyer
  • Fonction : Auteur
K. Volz
  • Fonction : Auteur
W. Stolz
  • Fonction : Auteur
Y. Wang
  • Fonction : Auteur
P. Ruterana
  • Fonction : Auteur
X. Wallart

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https://hal.science/hal-00797346

Soumis le : mercredi 6 mars 2013-10:42:39

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00797346 , version 1 (06-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00797346 , version 1

Citer

L. Desplanque, S. El Kazzi, Christophe Coinon, S. Ziegler, B. Kunert, et al.. High electron mobility InAs-based heterostructure on exact (001) Si using GaSb/GaP accommodation layer. 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012, 2012, Santa Barbara, CA, United States. ⟨hal-00797346⟩

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