Piezoresistance of nano-scale silicon up to 2 GPa in tension

U.K. Bhaskar; T. Pardoen; V. Passi; J.P. Raskin

doi:10.1063/1.4788919

Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013

Piezoresistance of nano-scale silicon up to 2 GPa in tension

, , (1) ,

1

U.K. Bhaskar

Fonction : Auteur

T. Pardoen

Fonction : Auteur

V. Passi

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

J.P. Raskin

Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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Archivage à long terme le : mardi 30 août 2022-10:03:45

Dates et versions

hal-00795970 , version 1 (27-05-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-00795970 , version 1
DOI : 10.1063/1.4788919

Citer

U.K. Bhaskar, T. Pardoen, V. Passi, J.P. Raskin. Piezoresistance of nano-scale silicon up to 2 GPa in tension. Applied Physics Letters, 2013, 102, pp.031911-1-4. ⟨10.1063/1.4788919⟩. ⟨hal-00795970⟩

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