Comparative optical studies of InGaAs/GaAs quantum wells grown by MBE on (100) and (311)A GaAs planes

A. Khatab; M. Shafi; R.H. Mari; M. Aziz; M. Henini; G. Patriarche; David Troadec; M. Sadeghi; S. Wang

doi:10.1002/pssc.201100581

Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2012

Comparative optical studies of InGaAs/GaAs quantum wells grown by MBE on (100) and (311)A GaAs planes

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1

A. Khatab

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M. Shafi

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R.H. Mari

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M. Aziz

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M. Henini

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G. Patriarche

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IdHAL : gilles-patriarche
ORCID : 0000-0002-3917-2470
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David Troadec

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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

M. Sadeghi

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S. Wang

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https://hal.science/hal-00790437

Soumis le : mercredi 20 février 2013-11:30:24

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00790437 , version 1 (20-02-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00790437 , version 1
DOI : 10.1002/pssc.201100581

Citer

A. Khatab, M. Shafi, R.H. Mari, M. Aziz, M. Henini, et al.. Comparative optical studies of InGaAs/GaAs quantum wells grown by MBE on (100) and (311)A GaAs planes. physica status solidi (c), 2012, 9, pp.1621-1623. ⟨10.1002/pssc.201100581⟩. ⟨hal-00790437⟩

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