Impurity-limited mobility and variability in gate-all-around silicon nanowires

Y.M. Niquet; H. Mera; C. Delerue

doi:10.1063/1.4704174

Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2012

Impurity-limited mobility and variability in gate-all-around silicon nanowires

, , (1)

1

Y.M. Niquet

Fonction : Auteur

H. Mera

Fonction : Auteur

C. Delerue

Fonction : Auteur
PersonId : 175246
IdHAL : christophe-delerue
ORCID : 0000-0002-0427-3001
IdRef : 035741163

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-00787840

Soumis le : vendredi 27 mai 2022-15:11:21

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Archivage à long terme le : mardi 30 août 2022-10:13:23

Dates et versions

hal-00787840 , version 1 (27-05-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-00787840 , version 1
DOI : 10.1063/1.4704174

Citer

Y.M. Niquet, H. Mera, C. Delerue. Impurity-limited mobility and variability in gate-all-around silicon nanowires. Applied Physics Letters, 2012, 100, pp.153119-1-4. ⟨10.1063/1.4704174⟩. ⟨hal-00787840⟩

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