Carrier mobility in strained Ge nanowires

Yann-Michel Niquet; C. Delerue

doi:10.1063/1.4759346

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2012

Carrier mobility in strained Ge nanowires

, (1)

1

Yann-Michel Niquet

Fonction : Auteur

C. Delerue

Fonction : Auteur
PersonId : 175246
IdHAL : christophe-delerue
ORCID : 0000-0002-0427-3001
IdRef : 035741163

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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Dates et versions

hal-00787437 , version 1 (25-05-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-00787437 , version 1
DOI : 10.1063/1.4759346

Citer

Yann-Michel Niquet, C. Delerue. Carrier mobility in strained Ge nanowires. Journal of Applied Physics, 2012, 112, pp.084301-1-4. ⟨10.1063/1.4759346⟩. ⟨hal-00787437⟩

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