Strain relief and growth optimization of GaSb on GaP by molecular beam epitaxy

Y. Wang; P. Ruterana; Jie Chen; L. Desplanque; S. El Kazzi; X. Wallart

doi:10.1088/0953-8984/24/33/335802

Article Dans Une Revue Journal of Physics: Condensed Matter Année : 2012

Strain relief and growth optimization of GaSb on GaP by molecular beam epitaxy

, , , (1) , ,

1

Y. Wang

Fonction : Auteur

P. Ruterana

Fonction : Auteur

Jie Chen

Fonction : Auteur
PersonId : 761941
IdRef : 200253832

L. Desplanque

Fonction : Auteur
PersonId : 746179
IdHAL : ludovicdesplanque
ORCID : 0000-0002-2197-4408
IdRef : 076098656

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

S. El Kazzi

Fonction : Auteur

X. Wallart

Fonction : Auteur
PersonId : 741251
IdHAL : xavier-wallart
ORCID : 0000-0002-0915-0043
IdRef : 03424879X

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https://hal.science/hal-00787023

Soumis le : lundi 11 février 2013-11:14:27

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00787023 , version 1 (11-02-2013)

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HAL Id : hal-00787023 , version 1
DOI : 10.1088/0953-8984/24/33/335802

Citer

Y. Wang, P. Ruterana, Jie Chen, L. Desplanque, S. El Kazzi, et al.. Strain relief and growth optimization of GaSb on GaP by molecular beam epitaxy. Journal of Physics: Condensed Matter, 2012, 24, pp.335802-1-7. ⟨10.1088/0953-8984/24/33/335802⟩. ⟨hal-00787023⟩

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