Resistive switching of HfO2-based Metal-Insulator-Metal diodes: Impact of the top electrode material

T. Bertaud (1) , D. Walczyk , Ch. Walczyk , S. Kubotsch , M. Sowinska , T. Schroeder , Ch. Wenger , C. Vallee (1) , P. Gonon (1) , C. Mannequin (1) , V. Jousseaume (2) , H. Grampeix

1 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

T. Bertaud, D. Walczyk, Ch. Walczyk, S. Kubotsch, M. Sowinska, et al.. Resistive switching of HfO2-based Metal-Insulator-Metal diodes: Impact of the top electrode material. Thin Solid Films, 2012, pp.520, 4551. ⟨hal-00777820⟩