DLTS investigations of carrier traps and interface states in large internal gain UV photodetectors based on BGaN wide band gap semiconductor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

DLTS investigations of carrier traps and interface states in large internal gain UV photodetectors based on BGaN wide band gap semiconductor

A. Ahaitouf
  • Fonction : Auteur
UMI GT CNRS
S. Amor
  • Fonction : Auteur
H. Srour
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
A. Ougazzaden
UMI GT CNRS
Jean-Paul Salvestrini
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
CV

Domaines

Optique [physics.optics]

Jean Paul Salvestrini  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00765273

Soumis le : vendredi 14 décembre 2012-13:41:09

Dernière modification le : mardi 12 septembre 2023-14:06:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00765273 , version 1 (14-12-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00765273 , version 1

Citer

A. Ahaitouf, S. Amor, H. Srour, A. Ougazzaden, Jean-Paul Salvestrini. DLTS investigations of carrier traps and interface states in large internal gain UV photodetectors based on BGaN wide band gap semiconductor. International Conference on Advanced Materials for Photonics, Sensing and Energy Conversion Applications, Dec 2012, El Jadida, Morocco. ⟨hal-00765273⟩

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