Analysis of Passivation Layer Composition and Thickness on Silicon Patterns Etched by Synchronously Pulsed Plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Analysis of Passivation Layer Composition and Thickness on Silicon Patterns Etched by Synchronously Pulsed Plasmas

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00755594

Soumis le : mercredi 21 novembre 2012-15:55:56

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:53:28

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00755594 , version 1 (21-11-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00755594 , version 1

Citer

M. Haass, Maxime Darnon, E. Pargon, C. Petit-Etienne, L. Vallier, et al.. Analysis of Passivation Layer Composition and Thickness on Silicon Patterns Etched by Synchronously Pulsed Plasmas. 5th Plasma Etch and Strip in Microelectronics Workshop (PESM), Mar 2012, Grenoble, France. ⟨hal-00755594⟩

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