Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
Remi Dussart : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00747746
Soumis le : jeudi 1 novembre 2012-15:37:34
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:56
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00747746 , version 1
Citer
Julien Ladroue, Mohamed Boufnichel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. Deep GaN Etching : Role of SiCl4 in Plasma Chemistry. AVS 59th International Symposium and Exhibition, Oct 2012, Tampa, United States. ⟨hal-00747746⟩
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