Interface states effects in GaN Schottky diodes

A. Ahaitouf 1 H. Srour 2 S. Ould Saad Hamady 2 N. Fressengeas 2 A. Ougazzaden 1 J.P. Salvestrini 3
1 UMI GT CNRS
2 LMOPS - Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
3 T1
UMI GT CNRS
Type de document :
Article dans une revue
Thin Solid Films, Elsevier, 2012
Liste complète des métadonnées
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00720225
Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mardi 24 juillet 2012 - 10:10:10
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:20

Identifiants

  • HAL Id : hal-00720225, version 1

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CENTRALESUPELEC | LMOPS-AXE1 | UNIV-LORRAINE | LMOPS-MATERIAUX | SUP_LMOPS | SUPELEC | UNIV-PARIS-SACLAY

Citation

A. Ahaitouf, H. Srour, S. Ould Saad Hamady, N. Fressengeas, A. Ougazzaden, et al.. Interface states effects in GaN Schottky diodes. Thin Solid Films, Elsevier, 2012. 〈hal-00720225〉

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