Interface states effects in GaN Schottky diodes

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Article dans une revue
Thin Solid Films, Elsevier, 2012
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Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mardi 24 juillet 2012 - 10:10:10
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:20

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  • HAL Id : hal-00720225, version 1

Citation

A. Ahaitouf, H. Srour, S. Ould Saad Hamady, N. Fressengeas, A. Ougazzaden, et al.. Interface states effects in GaN Schottky diodes. Thin Solid Films, Elsevier, 2012. 〈hal-00720225〉

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