Modeling IC Snapback characteristics under Electrostatic Discharge Stress

A. Ramanujan; M. Kadi; Jocelyne Trémenbert; Frédéric Lafon; B. Mazari

doi:10.1109/TEMC.2009.2029092

Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility Année : 2009

Modeling IC Snapback characteristics under Electrostatic Discharge Stress

, , , (1) ,

1

A. Ramanujan

Fonction : Auteur

M. Kadi

Fonction : Auteur
PersonId : 173747
IdHAL : moncef-kadi
IdRef : 084533242

CV

Jocelyne Trémenbert

Fonction : Auteur
PersonId : 1046852

Frédéric Lafon

Fonction : Auteur

Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique

B. Mazari

Fonction : Auteur

Yolande Sambin : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00688281

Soumis le : mardi 17 avril 2012-11:37:28

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:55

Dates et versions

hal-00688281 , version 1 (17-04-2012)

Identifiants

HAL Id : hal-00688281 , version 1
DOI : 10.1109/TEMC.2009.2029092

Citer

A. Ramanujan, M. Kadi, Jocelyne Trémenbert, Frédéric Lafon, B. Mazari. Modeling IC Snapback characteristics under Electrostatic Discharge Stress. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2009, 51 (4), pp.901-908. ⟨10.1109/TEMC.2009.2029092⟩. ⟨hal-00688281⟩

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