Deposition of high k Y2O3 oxides by pulsed injection plasma enhanced MOCVD - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00669570 , version 1 (13-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00669570 , version 1

Citer

Corentin Vallée, C. Durand, B. Pelissier, M. Bonvalot, E. Gautier, et al.. Deposition of high k Y2O3 oxides by pulsed injection plasma enhanced MOCVD. 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM), Nov 2002, Grenoble, France. ⟨hal-00669570⟩
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